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IXFK64N50P
功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N通道, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, TO-264, 通孔
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产品信息
制造商产品编号IXFK64N50P
库存编号1427314
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds500V
电流, Id 连续64A
漏源接通状态电阻0.085ohm
晶体管封装类型TO-264
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5.5V
功率耗散830W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
IXFK64N50P 是一款具有快速本征二极管（HiPerFET™）的单 N 沟道增强型功率 MOSFET。它具有低静态漏极至源极导通电阻和高功率密度的特点。它适用于直流-直流转换器、电池充电器、直流斩波器、开关模式和谐振模式电源。
- 国际标准包装
- 低 Qg
- 封装电感低
- 易于安装
- 节省空间
- 雪崩评级
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
64A
晶体管封装类型
TO-264
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
830W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.085ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01