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IXTK200N10P
功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N通道, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, 通孔
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|---|---|
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| 5+ | CNY88.040 (CNY99.4852) |
| 10+ | CNY85.690 (CNY96.8297) |
| 50+ | CNY83.340 (CNY94.1742) |
| 100+ | CNY80.990 (CNY91.5187) |
| 250+ | CNY80.110 (CNY90.5243) |
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产品信息
制造商产品编号IXTK200N10P
库存编号1427361
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续200A
漏源接通状态电阻0.0075ohm
晶体管封装类型TO-264
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散800W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
The IXTK200N10P is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode standard Power MOSFET offers low reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Avalanche rating
- Easy to mount
- Space saving
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200A
晶体管封装类型
TO-264
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
800W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0075ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01