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CBR04C209B2GAC
射频电容, 2 pF, 200 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]
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| 50+ | CNY3.380 (CNY3.8194) |
| 100+ | CNY3.030 (CNY3.4239) |
| 500+ | CNY2.910 (CNY3.2883) |
| 1000+ | CNY2.640 (CNY2.9832) |
| 2000+ | CNY2.380 (CNY2.6894) |
| 4000+ | CNY2.220 (CNY2.5086) |
| 10000+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
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产品信息
制造商KEMET
制造商产品编号CBR04C209B2GAC
库存编号2985062
产品范围HiQ-CBR Series
技术数据表
电容2pF
额定电压200V
产品范围HiQ-CBR Series
电容公差± 0.1pF
工作温度最高值125°C
电容封装类型0402 [1005公制]
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CBR系列SMD多层陶瓷电容器采用C0G介质, 具有高稳定性贱金属电极介电系统. 该电容器具有极低的ESR, 高自谐振特性, 非常适合谐振电路应用, 或需要高稳定性Q和电容特性的应用. 该系列的电容值相对于时间和电压变化非常小, 相对于环境温度, 变化可忽略不计.
- 超高Q
- 高SRF
- 良好的温度稳定性
- 1MHz至50GHz频率范围
- 贱金属电极 (BME) 介质系统
- 可选0201, 0402, 0603, 0805外壳尺寸
- 6.3至500V电压范围
- 电容值范围: 0.1 至 100pF
技术规格
电容
2pF
产品范围
HiQ-CBR Series
工作温度最高值
125°C
汽车质量标准
-
额定电压
200V
电容公差
± 0.1pF
电容封装类型
0402 [1005公制]
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85322900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00015