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IXBH16N170
IGBT, 40 A, 3.3 V, 250 W, 1.7 kV, TO-247, 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 5+ | CNY111.130 (CNY125.5769) |
| 10+ | CNY85.200 (CNY96.276) |
| 50+ | CNY84.650 (CNY95.6545) |
| 100+ | CNY84.100 (CNY95.033) |
| 250+ | CNY83.550 (CNY94.4115) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXBH16N170
库存编号3930472
产品范围BiMOSFET系列
技术数据表
连续集电极电流40A
集电极-发射极饱和电压3.3V
功率耗散250W
最大集电极发射电压1.7kV
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
晶体管安装通孔
产品范围BiMOSFET系列
产品概述
High voltage, high gain BIMOSFET™ monolithic bipolar MOS transistor. Suitable for use in switch-mode and resonant-mode power supplies, uninterruptible power supplies (UPS), laser generators, capacitor discharge circuits and AC switches applications.
- High blocking voltage
- International standard packages
- Low conduction losses
- Low gate drive requirement
- High power density
技术规格
连续集电极电流
40A
功率耗散
250W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
150°C
产品范围
BiMOSFET系列
集电极-发射极饱和电压
3.3V
最大集电极发射电压
1.7kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001