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IXBK55N300
IGBT, 130 A, 2.7 V, 625 W, 3 kV, TO-264, 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 1+ | CNY881.860 (CNY996.5018) |
| 5+ | CNY811.310 (CNY916.7803) |
| 10+ | CNY740.750 (CNY837.0475) |
| 50+ | CNY707.840 (CNY799.8592) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXBK55N300
库存编号3930405
产品范围BiMOSFET系列
技术数据表
连续集电极电流130A
集电极-发射极饱和电压2.7V
功率耗散625W
最大集电极发射电压3kV
晶体管封装类型TO-264
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
晶体管安装通孔
产品范围BiMOSFET系列
产品概述
High voltage, high gain BiMOSFET™ monolithic bipolar MOS transistor. Suitable for use in switch-mode and resonant-mode power supplies, uninterruptible power supplies (UPS), laser generators, capacitor discharge circuits applications.
- High blocking voltage
- International standard package
- Low conduction losses
- High current handling capability
- MOS Gate turn-on- drive simplicity
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
连续集电极电流
130A
功率耗散
625W
晶体管封装类型
TO-264
工作温度最高值
150°C
产品范围
BiMOSFET系列
集电极-发射极饱和电压
2.7V
最大集电极发射电压
3kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001