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产品概述
High-speed low-side ultrafast MOSFET driver especially well suited for driving the latest IXYS MOSFETs and IGBTs. Suitable for use in efficient power MOSFET and IGBT switching, switch mode power supplies, motor controls, DC to DC converters, Class-D switching amplifiers, pulse transformer driver applications.
- Configured as a non-inverting driver with an enable
- 9A peak source/sink drive current
- Extended operating temperature range from -40°C to +125°C
- Logic input withstands negative swing of up to 5V
- Matched rise and fall times
- Low propagation delay time
- Low, 10µA supply current
- Low output impedance
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
8引脚
IC 外壳 / 封装
DFN
输入类型
逻辑器件
灌电流
9A
电源电压最大值
35V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
42ns
合规
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
驱动器封装类型
DFN
芯片安装
表面安装
拉电流
9A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
40ns
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000239