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IXDI609SIA
栅极驱动器, 1 放大器, 低压侧, MOSFET, 8 引脚, SOIC
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.070 (CNY13.6391) |
| 10+ | CNY10.800 (CNY12.204) |
| 50+ | CNY9.590 (CNY10.8367) |
| 100+ | CNY8.390 (CNY9.4807) |
| 250+ | CNY7.910 (CNY8.9383) |
| 500+ | CNY7.770 (CNY8.7801) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXDI609SIA
库存编号3930302
产品范围IXD_609系列
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型逻辑器件
拉电流9A
灌电流9A
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值35V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟40ns
输出延迟42ns
产品范围IXD_609系列
合规-
产品概述
High-speed low-side ultrafast MOSFET driver especially well suited for driving the latest IXYS MOSFETs and IGBTs.
- Configured as an inverting driver
- 9A peak source/sink drive current
- Extended operating temperature range from -40°C to +125°C
- Logic input withstands negative swing of up to 5V
- Matched rise and fall times
- Low propagation delay time
- Low, 10µA supply current
- Low output impedance
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
9A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
40ns
产品范围
IXD_609系列
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
逻辑器件
灌电流
9A
电源电压最大值
35V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
42ns
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001