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IXDN602SIA
栅极驱动器, 2 放大器, 低压侧, MOSFET, 8 引脚, SOIC
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|---|---|
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| 10+ | CNY6.730 (CNY7.6049) |
| 50+ | CNY6.350 (CNY7.1755) |
| 100+ | CNY5.960 (CNY6.7348) |
| 250+ | CNY5.540 (CNY6.2602) |
| 500+ | CNY5.530 (CNY6.2489) |
| 1000+ | CNY5.520 (CNY6.2376) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXDN602SIA
库存编号3930259
产品范围IXD_602系列
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型逻辑器件
拉电流2A
灌电流2A
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值35V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟35ns
输出延迟38ns
产品范围IXD_602系列
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
Dual high-speed low-side ultrafast MOSFET driver especially well suited for driving the latest IXYS MOSFETs and IGBTs. It is suitable for efficient power MOSFET and IGBT switching, switch mode power supplies, motor controls, DC to DC converters, Class-D switching amplifiers, pulse transformer driver applications.
- 2A peak source/sink drive current
- Extended operating temperature range -40°C to +125°C
- Logic input withstands negative swing of up to 5V
- Outputs may be connected in parallel for higher drive current
- Matched rise and fall times
- Low propagation delay time
- Low 10µA supply current
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
2A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
35ns
产品范围
IXD_602系列
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
逻辑器件
灌电流
2A
电源电压最大值
35V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
38ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001