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IXFH170N25X3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 170 A, 6100 µohm, TO-247, 通孔
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| 10+ | CNY127.710 (CNY144.3123) |
| 50+ | CNY120.470 (CNY136.1311) |
| 100+ | CNY113.230 (CNY127.9499) |
| 250+ | CNY106.370 (CNY120.1981) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFH170N25X3
库存编号3930509
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds250V
电流, Id 连续170A
漏源接通状态电阻6100µohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散890W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围X3-Class HiPerFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor drives, PFC circuits, robotics and servo controls applications.
- Low RDS(ON) and QG
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
170A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
890W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
6100µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
X3-Class HiPerFET Series
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001