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IXFH170N25X3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, 通孔
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| 1+ | CNY146.130 (CNY165.1269) |
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| 10+ | CNY130.630 (CNY147.6119) |
| 50+ | CNY122.870 (CNY138.8431) |
| 100+ | CNY115.120 (CNY130.0856) |
| 250+ | CNY107.360 (CNY121.3168) |
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多件: 1
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产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor drives, PFC circuits, robotics and servo controls applications.
- Low RDS(ON) and QG
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
170A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
890W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
0.0061ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
X3-Class HiPerFET Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001