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IXTA3N150HV
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY70.810 (CNY80.0153) |
| 5+ | CNY66.150 (CNY74.7495) |
| 10+ | CNY61.480 (CNY69.4724) |
| 50+ | CNY59.920 (CNY67.7096) |
| 100+ | CNY58.350 (CNY65.9355) |
| 250+ | CNY56.780 (CNY64.1614) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in high voltage power supplies, capacitor discharge applications and pulse circuits applications.
- High voltage power MOSFET
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- High blocking voltage
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
1.5kV
漏源接通状态电阻
7.3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001