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IXTA6N50D2.
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 6A, TO-263AAE
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY78.040 (CNY88.1852) |
| 5+ | CNY65.630 (CNY74.1619) |
| 10+ | CNY53.220 (CNY60.1386) |
| 50+ | CNY47.060 (CNY53.1778) |
| 100+ | CNY40.890 (CNY46.2057) |
| 250+ | CNY40.080 (CNY45.2904) |
包装规格：每个
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多件: 1
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTA6N50D2.
库存编号3771255
技术数据表
漏源电压, Vds500V
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压0V
阈值栅源电压最大值-
功率耗散300W
产品范围-
合规-
技术规格
漏源电压, Vds
500V
Rds(on)测试电压
0V
功率耗散
300W
合规
-
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
-
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001953