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IXTH02N250
功率场效应管, MOSFET, N通道, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, 通孔
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| 5+ | CNY113.450 (CNY128.1985) |
| 10+ | CNY89.390 (CNY101.0107) |
| 50+ | CNY87.360 (CNY98.7168) |
| 100+ | CNY85.320 (CNY96.4116) |
| 250+ | CNY83.280 (CNY94.1064) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTH02N250
库存编号3930077
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds2.5kV
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻450ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散83W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
N 沟道增强型快速本征二极管适用于高压电源、电容器放电应用和脉冲电路应用。
- 高压功率 MOSFET
- 封装电感低
- 易于安装
- 节省空间
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
2.5kV
漏源接通状态电阻
450ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536