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IXTH6N120.
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 6A, TO-247 ADN
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY122.010 (CNY137.8713) |
| 5+ | CNY112.240 (CNY126.8312) |
| 10+ | CNY102.540 (CNY115.8702) |
| 25+ | CNY92.770 (CNY104.8301) |
| 100+ | CNY83.060 (CNY93.8578) |
| 500+ | CNY74.530 (CNY84.2189) |
| 1000+ | CNY73.500 (CNY83.055) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTH6N120.
库存编号3949095
技术数据表
通道类型N Channel
漏源接通状态电阻2.6ohm
晶体管安装Through Hole
阈值栅源电压最大值5V
产品范围-
合规-
技术规格
通道类型
N Channel
晶体管安装
Through Hole
产品范围
-
漏源接通状态电阻
2.6ohm
阈值栅源电压最大值
5V
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008411