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IXTT02N450HV
功率场效应管, MOSFET, N通道, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY213.850 (CNY241.6505) |
| 5+ | CNY202.270 (CNY228.5651) |
| 10+ | CNY190.680 (CNY215.4684) |
| 50+ | CNY179.090 (CNY202.3717) |
| 100+ | CNY167.500 (CNY189.275) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTT02N450HV
库存编号3930141
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds4.5kV
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻750ohm
晶体管封装类型TO-268HV
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压-
阈值栅源电压最大值-
功率耗散113W
针脚数3引脚
工作温度最高值-
产品范围-
合规-
产品概述
N-channel enhancement mode high voltage power MOSFET suitable for use in high voltage power supplies, capacitor discharge applications, pulse circuits, laser and X-Ray generation systems applications.
- High blocking voltage
- High voltage packages
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
TO-268HV
Rds(on)测试电压
-
功率耗散
113W
工作温度最高值
-
合规
-
漏源电压, Vds
4.5kV
漏源接通状态电阻
750ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001