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IXTX200N10L2.
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 200A, +247
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|---|---|
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| 5+ | CNY209.370 (CNY236.5881) |
| 10+ | CNY171.760 (CNY194.0888) |
| 50+ | CNY170.770 (CNY192.9701) |
| 100+ | CNY169.780 (CNY191.8514) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTX200N10L2.
库存编号3771278
产品范围LinearL2 Series
技术数据表
通道类型N Channel
漏源接通状态电阻11mohm
晶体管安装Through Hole
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
工作温度最高值150°C
产品范围LinearL2 Series
合规-
技术规格
通道类型
N Channel
晶体管安装
Through Hole
阈值栅源电压最大值
4.5V
产品范围
LinearL2 Series
漏源接通状态电阻
11mohm
Rds(on)测试电压
10V
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000015