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IXTY01N100D-TRL
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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|---|---|
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| 500+ | CNY17.600 (CNY19.888) |
| 1000+ | CNY17.070 (CNY19.2891) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTY01N100D-TRL
库存编号3930143RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds1kV
电流, Id 连续400mA
漏源接通状态电阻80ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压-
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散25W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
IXTY01N100D-TRL is a N-channel depletion mode MOSFET. Typical applications are level shifting, triggers, solid state relays, current regulators.
- Normally ON mode
- International standard packages
- Low RDS(on) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Fast switching speed
- Easy to mount, space savings
- High power density
- Voltage rating VDSX is 1000V at TJ = 25°C to 150°C
- Current rating 400mA at TC = 25°C, pulse width limited by TJ
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
400mA
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
-
功率耗散
25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
80ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001