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IXTY08N100D2.
场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 0.8A, TO-252
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY33.460 (CNY37.8098) |
| 10+ | CNY16.410 (CNY18.5433) |
| 100+ | CNY15.830 (CNY17.8879) |
| 500+ | CNY15.240 (CNY17.2212) |
| 1000+ | CNY13.770 (CNY15.5601) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTY08N100D2.
库存编号3771797
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds1kV
电流, Id 连续800mA
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散60W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
800mA
阈值栅源电压最大值
4V
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
1kV
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
功率耗散
60W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.005443