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IXYX110N120A4
IGBT, 375 A, 1.45 V, 1.36 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 引脚
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXYX110N120A4
库存编号3996595
产品范围XPT GenX4 Series
技术数据表
连续集电极电流375A
集电极-发射极饱和电压1.45V
功率耗散1.36kW
最大集电极发射电压1.2kV
晶体管封装类型PLUS247
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装通孔
产品范围XPT GenX4 Series
产品概述
IXYX110N120A4 is an XPT™ ultra-low-Vsat PT IGBT for up to 5kHz switching. Utilizing XPT™ thin-wafer technology and 4th generation (GenX4™) Trench IGBT process, this device helps to reduce gate driver requirements and conduction losses. It features reduced thermal resistance, low losses, high current densities, and low gate charge requirement. A positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient enables designers to use multiple devices in parallel. Typical applications include battery chargers, lamp ballasts, power inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welding machines.
- Ideal for high power density and high inrush currents, low loss applications
- Hard-switching capable, easy paralleling of devices
- Reduced gate driver requirements
- Low on-state voltages Vcesat, positive thermal coefficient of Vcesat
- TO-247 PLUS package type
- 1200V VCES at TJ = 25°C to 175°C
- 375A Ic25 at TC= 25°C (chip capability)
- 1.13/10Nm/lb.in mounting torque
- Junction temperature range from -55°C to 175°C
技术规格
连续集电极电流
375A
功率耗散
1.36kW
晶体管封装类型
PLUS247
工作温度最高值
175°C
产品范围
XPT GenX4 Series
集电极-发射极饱和电压
1.45V
最大集电极发射电压
1.2kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001