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LSIC1MO120E0080
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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|---|---|
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| 5+ | CNY117.750 (CNY133.0575) |
| 10+ | CNY116.970 (CNY132.1761) |
| 50+ | CNY116.200 (CNY131.306) |
| 100+ | CNY115.420 (CNY130.4246) |
| 250+ | CNY114.640 (CNY129.5432) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号LSIC1MO120E0080
库存编号3361191
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续39A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散179W
工作温度最高值150°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
39A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
179W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002