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产品信息
制造商MICROCHIP
制造商产品编号23LCV1024-I/SN
库存编号2291919
技术数据表
SRAM类型同步SRAM
存储密度1Mbit
记忆配置128K x 8位
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
电源电压最小值2.5V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压-
时钟频率最大值20MHz
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
23LCV1024-I/SN是一款1Mb SPI串行SRAM, 带有备用电池与SDI接口. 可通过串行外设接口 (SPI)兼容的串行总线来访问存储器. 所需的总线信号为时钟输入 (SCK), 与单独数据在(SI)与数据输出 (SO)线路上. 通过芯片选择 (CS)输入控制器件的访问. 此外, 如果应用需要更快的数据速率, 可支持SDI (串行双接口). SRAM可以通过Vbat引脚以电池供电, 从而实现非易失性. 该器件还支持无限读写周期至阵列.
- SPI兼容总线接口 - 20MHz时钟速率, SPI/SDI模式
- 低功率CMOS技术
- 3.6V, 20MHz时, 读取电流为3mA
- +85°C时, 最大4μA待机电流
- 无限读写周期
- 零写入时间
- 32字节页
- 通过Vbat Pin支持电池供电SRAM, 自动切换至Vbat
- 排序模式读写
- 高可靠性
技术规格
SRAM类型
同步SRAM
记忆配置
128K x 8位
针脚数
8引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
20MHz
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
1Mbit
IC 外壳 / 封装
SOIC
电源电压最小值
2.5V
额定电源电压
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000175