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47C04-I/P
非易失随机存储器 (NVRAM), EERAM, 4 Kbit, 512 x 8位, I2C, DIP
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.770 (CNY7.6501) |
| 25+ | CNY6.550 (CNY7.4015) |
| 100+ | CNY6.260 (CNY7.0738) |
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产品信息
制造商MICROCHIP
制造商产品编号47C04-I/P
库存编号2674849
技术数据表
存储器类型EERAM
存储器容量4Kbit
NVRAM 内存配置512 x 8位
芯片接口类型I2C
存取时间-
封装类型DIP
针脚数8引脚
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Microchip 47C04-I/P是一款4Kbit, I2C串行EERAM, 8引脚PDIP封装。这款SRAM带EEPROM备份, 设计用于双向2-线总线和数据传输协议 (I2C)。SRAM提供无限读/写周期, EEPROM单元提供长时间非易失性存储。可配合外部电容器, 断电后, SRAM数据将自动传输到EEPROM。可以手动传输数据, 通过硬件存储引脚或软件控件。上电时, EEPROM数据自动重新传召回SRAM。召回可以通过软件控制执行。
- VCC范围4.5V至5.5V, 最高时钟频率1MHz
- 512 x 8位内部结构, 8ms最长存储时间
- 工作温度范围: -40°C到+85°C
- 非易失性外部事件检测标志, SRAM无限读写周期
- 超过一百万次存储周期 (EEPROM)
- 数据保留 <gt/> 200年, ESD保护 <gt/> 4000V
- 零周期延迟读/写
- 可级联4个设备
- 施密特触发输入, 用于抑制噪声
- 低功耗CMOS技术, 200µA典型工作电流, 40µA待机电流 (最大)
技术规格
存储器类型
EERAM
NVRAM 内存配置
512 x 8位
存取时间
-
针脚数
8引脚
电源电压最大值
5.5V
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 1 -无限制
存储器容量
4Kbit
芯片接口类型
I2C
封装类型
DIP
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000833