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DN3525N8-G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, 表面安装
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| 25+ | CNY5.400 (CNY6.102) |
| 100+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
| 2000+ | CNY4.880 (CNY5.5144) |
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产品信息
制造商MICROCHIP
制造商产品编号DN3525N8-G
库存编号2450515
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds250V
电流, Id 连续360mA
漏源接通状态电阻6ohm
晶体管封装类型SOT-89
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压0V
阈值栅源电压最大值-
功率耗散1.6W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
DN3525N8-G 是一款N沟道耗尽型垂直DMOS FET, 采用先进的垂直 DMOS 材质, 以及Supertex成熟的硅栅极制造工艺。这种组合技术器件具有双极晶体管的功率处理能力, 以及 MOS 器件的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS特性, 无热失控, 和温度热引起的二次击穿。低阈值常开DMOS FET非常适合需要高击穿电压, 高输入阻抗, 低输入电容, 快速开关速度的开关和放大应用。
- 低导通电阻
- 无二次故障
- 低输入和输出泄露
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
360mA
晶体管封装类型
SOT-89
Rds(on)测试电压
0V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000109