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产品信息
制造商MICROCHIP
制造商产品编号MCP6566T-E/OT
库存编号1715878
技术数据表
比较器类型高速
通道数1放大器
响应时间/传播延迟56ns
电源电压范围1.8V 至 5.5V
IC 外壳 / 封装SOT-23
针脚数5引脚
比较器输出类型CMOS, MOS, 集电极开路 / 漏极, TTL
电源类型单电源
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
合规AEC-Q100
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
汽车质量标准AEC-Q100
比较器封装类型SOT-23
芯片输出类型CMOS, MOS, 集电极开路 / 漏极, TTL
比较器数量1个比较器
响应时间56ns
产品概述
MCP6566T-E/OT 是一款低功耗开漏单输出比较器。该比较器针对 1.8V 单电源低功耗应用进行了优化,其输入工作电压大于轨至轨。内部输入滞后消除了内部输入噪声电压引起的输出切换,从而降低了电流消耗。该系列的漏极开路输出需要一个上拉电阻。它支持高于和低于 VDD 的上拉电压,可用于电平转换。输出切换频率可达典型的 4MHz(典型值),同时限制开关期间的电源电流浪涌和动态功耗。典型应用包括笔记本电脑、手机、手持电子设备、RC 定时器、报警和监控电路、窗口比较器和多频振荡器。
- 56ns 传播延迟(典型值,高电平到低电平,100mV 过驱动,VDD = +1.8 至 +5.5V,VSS = GND,TA = +25°C)
- 每个比较器的静态电流为 100µA(典型值,IOUT = 0,VDD = 1.8V 至 5.5V,VSS = GND,TA = +25°C)
- 输入失调电压范围为 -10 至 +10mV (VCM = VSS,VDD = +1.8 至 +5.5V,VSS = GND,TA = +25°C)
- 轨至轨输入范围:VSS - 0.3V 至 VDD + 0.3V
- 电源电压范围为 1.8 至 5.5V(VDD = +1.8V 至 +5.5V,VSS = GND,TA = +25°C)
- 电源抑制比为 70dB(典型值,VCM = VSS,VDD = +1.8V 至 +5.5V,VSS = GND,TA = +25°C)
- 共模抑制比为 66dB(典型值,VCM = -0.3V 至 VDD + 0.3V,VDD = 5.5V,TA = +25°C)
- 输入偏移漂移为 ±2µV/°C(典型值,VCM = VSS,VDD = +1.8V 至 +5.5V,VSS = GND,TA = +25°C)
- 输入偏移电流为 ±1pA(典型值,VCM = VSS,VDD = +1.8V 至 +5.5V,VSS = GND,TA = +25°C)
- 5 引脚 SOT-23 封装,工作温度范围扩展至 -40 至 125°C
警告
静电敏感型设备, 在处理设备时请采取适当的保护措施。该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
比较器类型
高速
响应时间/传播延迟
56ns
IC 外壳 / 封装
SOT-23
比较器输出类型
CMOS, MOS, 集电极开路 / 漏极, TTL
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
合规
AEC-Q100
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
比较器封装类型
SOT-23
比较器数量
1个比较器
通道数
1放大器
电源电压范围
1.8V 至 5.5V
针脚数
5引脚
电源类型
单电源
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
汽车质量标准
AEC-Q100
芯片输出类型
CMOS, MOS, 集电极开路 / 漏极, TTL
响应时间
56ns
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001