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SST25VF016B-50-4I-S2AF-T
闪存, 串行NOR, 16 Mbit, 2M x 8bit, SPI, SOIC, 8 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 25+ | CNY14.770 (CNY16.6901) |
| 100+ | CNY14.110 (CNY15.9443) |
| 2100+ | CNY13.840 (CNY15.6392) |
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产品信息
制造商MICROCHIP
制造商产品编号SST25VF016B-50-4I-S2AF-T
库存编号2774943
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度16Mbit
记忆配置2M x 8bit
接口SPI
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
时钟频率最大值50MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SST25VF016B-50-4I-S2AF-T 是一款 25 系列串行闪存，采用四线制 SPI 兼容接口，采用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低了系统总成本。与最初的 SST25VFxxxA 器件相比，它的工作频率更高，功耗更低。它采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器实现了更高的可靠性和可制造性。它大大提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。总能耗是应用电压、电流和应用时间的函数。由于在任何给定的电压范围内，超级闪存技术的编程电流更小，擦除时间更短，因此在任何擦除或编程操作中消耗的总能量都低于其他闪存技术。
- 单电压读/写操作
- 串行接口结构，兼容 SPI： 模式 0 和模式 3
- 高速时钟频率
- 耐久性为 10,000 次/分钟，数据保存为 100 年/分钟
- 自动地址递增 (AAI)编程
- 与字节编程操作相比，减少了芯片编程的总时间
- 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位，在 AAI 模式下通过 SO 引脚读出忙状态
- 暂停到存储器的串行序列，而不取消选择器件
- 启用/禁用状态寄存器的锁定功能
- 8 引脚 SOIC 封装，工业温度范围为 -40 至 85°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
2M x 8bit
IC 外壳 / 封装
SOIC
时钟频率最大值
50MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
16Mbit
接口
SPI
针脚数
8引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001