打印页面
VN1206L-G
场效应管, DMOSFET, N沟道, 0.23A, 120V, TO-92
842 有货
需要更多？
842 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.880 (CNY17.9444) |
| 25+ | CNY11.990 (CNY13.5487) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY15.88 (CNY17.94 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
技术规格
通道类型
N Channel
漏源接通状态电阻
6ohm
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
120V
晶体管安装
Through Hole
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000244