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MT25QL01GBBB8E12-0AAT
闪存, 串行NOR, 1 Gbit, 128M x 8位, SPI, TBGA, 24 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY119.640 (CNY135.1932) |
| 10+ | CNY110.900 (CNY125.317) |
| 25+ | CNY107.420 (CNY121.3846) |
| 50+ | CNY105.640 (CNY119.3732) |
| 100+ | CNY96.950 (CNY109.5535) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT25QL01GBBB8E12-0AAT
库存编号4050774
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度1Gbit
记忆配置128M x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装TBGA
针脚数24引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
产品概述
MT25QL01GBBB8E12-0AAT is a high-performance multiple input/output serial NOR flash memory device. It features a high-speed SPI-compatible bus interface, execute-in-place (XIP) functionality, advanced write protection mechanisms, and extended address access. Innovative, high-performance, dual and quad input/output commands enable double or quadruple the transfer bandwidth for read and program operations.
- Operating voltage range from 2.7V to 3.6V
- 1Gb (128MB) density
- 2 die stacked
- 64KB sectors, 4KB and 32KB subsectors
- Additional reset and hold pin
- Standard default security
- Automotive grade AEC-Q100 qualified
- Operating temperature range from- 40°C to +125°C
- Single and double transfer rate (STR/DTR)
- Available in 24-ball TPBGA package
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
128M x 8位
IC 外壳 / 封装
TBGA
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
存储密度
1Gbit
接口
SPI
针脚数
24引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001