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MT28EW01GABA1HJS-0SIT
闪存, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16bit / 128M x 8bit, 并行口, TSOP, 56 引脚
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| 25+ | CNY114.810 (CNY129.7353) |
| 50+ | CNY111.980 (CNY126.5374) |
| 100+ | CNY109.970 (CNY124.2661) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT28EW01GABA1HJS-0SIT
库存编号3861353
技术数据表
闪存类型并行NOR
存储密度1Gbit
记忆配置64M x 16bit / 128M x 8bit
接口并行口
IC 外壳 / 封装TSOP
针脚数56引脚
时钟频率最大值-
存取时间95ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Parallel NOR Flash Memories
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT28EW01GABA1HJS-0SIT 是一款并行 NOR 闪存嵌入式存储器。它是一种异步、统一块、并行 NOR 闪存设备。只需一个低压电源即可执行读取、擦除和编程操作。上电后，器件默认为读取阵列模式。主存储器阵列被划分为可独立擦除的统一块，以便在清除旧数据的同时保留有效数据。编程和擦除命令写入存储器的命令接口。片上编程/擦除控制器负责更新存储器内容所需的所有特殊操作，从而简化了编程或擦除存储器的过程。可以检测到编程或擦除操作的结束，并识别任何错误条件。控制设备所需的命令集符合 JEDEC 标准。CE#、OE# 和 WE# 控制器件的总线操作，可与大多数微处理器实现简单连接，通常无需额外逻辑。
- 电压范围为 2.7 至 3.6V VCC 内核、128Mb 密度、单晶片堆叠、第二代
- 模具 Rev A，x8、x16 配置，高锁块结构，标准默认安全性
- 单级电池 (SLC) 工艺技术
- 电源电压范围为 2.7 至 3.6V（编程、擦除、读取），1.65 - VCC（I/O 缓冲器）
- 页面大小：16 字节或 32 字节，页面访问：页面访问：20ns，随机访问：70ns（VCC = VCCQ = 2.7-3.6V70ns （VCC = VCCQ = 2.7-3.6V）
- 使用完全缓冲程序时为 2.0MB/s（标准值），使用加速缓冲程序时为 2.5MB/s（标准值）
- 字/字节编程：每个字 25us (标准)，块擦除 (128KB)：0.2s (标准)
- 在程序暂停操作期间从另一个程序块读取数据
- 解锁旁路、块擦除、芯片擦除和写入缓冲区功能
- 56引脚TSOP封装，环境工作温度范围为-40°C至+85°C
技术规格
闪存类型
并行NOR
记忆配置
64M x 16bit / 128M x 8bit
IC 外壳 / 封装
TSOP
时钟频率最大值
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
存储密度
1Gbit
接口
并行口
针脚数
56引脚
存取时间
95ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001