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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
闪存, SLC NAND, 4 Gbit, 4G x 1位, SPI, UPDFN, 8 引脚
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|---|---|
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| 10+ | CNY77.170 (CNY87.2021) |
| 25+ | CNY75.670 (CNY85.5071) |
| 50+ | CNY75.180 (CNY84.9534) |
| 100+ | CNY69.330 (CNY78.3429) |
| 250+ | CNY67.210 (CNY75.9473) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
库存编号3954460
技术数据表
闪存类型SLC NAND
存储密度4Gbit
记忆配置4G x 1位
接口SPI
IC 外壳 / 封装UPDFN
针脚数8引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3.3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3.3V SLC NAND Flash存储器
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
产品概述
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F是一款NAND闪存器件。作为SLC NAND闪存，它在引脚数量需最小化的应用场景中提供高性价比的非易失性存储解决方案，同时作为SPI NOR的替代方案，其写入性能和单位比特成本均优于SPI NOR。硬件接口采用低引脚数设计，标准引脚排列在不同密度间保持一致，支持未来升级至更高密度而无需重新设计电路板。串行电气接口遵循行业标准的串行外设接口（SPI）。针对串行操作定义了新的命令协议和寄存器。命令集与常见的SPI-NOR命令集相似，但经过修改以处理NAND特有的功能和新增特性。
- 单层单元 (SLC) 技术
- 默认启用内部ECC，支持用户可选内部ECC，8位/扇区
- 读取页面缓存模式（×2、×4、双、四、随机）、读取唯一ID、读取参数页面
- 设备初始化：上电后自动初始化设备
- 耐用性：100,000次编程/擦除循环，数据保持：符合JESD47H标准
- 无循环数据保留：在 85°C 下 24/7 运行 10 年
- 4Gb 密度
- 3.3V（2.7–3.6V）工作电压范围
- 8引脚U-PDFN封装（8mm×6mm×0.65mm）
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
闪存类型
SLC NAND
记忆配置
4G x 1位
IC 外壳 / 封装
UPDFN
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3.3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3.3V SLC NAND Flash存储器
存储密度
4Gbit
接口
SPI
针脚数
8引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423269
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000709