打印页面
可订购
制造商标准交货时间:45 周
有货时请通知我
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY326.200 (CNY368.606) |
5+ | CNY314.350 (CNY355.2155) |
10+ | CNY302.500 (CNY341.825) |
25+ | CNY291.660 (CNY329.5758) |
50+ | CNY284.420 (CNY321.3946) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY326.20 (CNY368.61 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT40A1G16TB-062E IT:F
库存编号3935595
技术数据表
DRAM类型DDR4
存储密度16Gbit
记忆配置1G x 16位
时钟频率最大值1.6GHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数96引脚
额定电源电压1.2V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT40A1G16TB-062E IT:F 是一款 DDR4 SDRAM。它是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为 x16 配置的八组 DRAM 和 x4 和 x8 配置的十六组 DRAM。DDR4 SDRAM 采用 8n-prefetch 架构来实现高速运行。8n-prefetch 架构与接口相结合,旨在每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR4 SDRAM 的单次 "读取"或 "写入"操作包括在内部 DRAM 内核进行一次 8n 位宽、四个时钟周期的数据传输,以及在 I/O 引脚进行两次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。
- VDD = VDDQ = 1.2V±60mV,1.2V伪开漏I/O
- 片上可调VREFDQ生成,命令/地址(CA)奇偶校验
- 16个内部存储库(x4, x8):4组各含4个存储库,8个内部存储库(x16):2组各含4个存储库
- 8n位预取架构,可编程数据选通前导序列
- 数据选通信号前导训练,命令/地址延迟,写入均衡
- 多功能寄存器读写能力,自刷新模式,单DRAM地址可寻址
- 低功耗自动自刷新(LPASR)、温度控制刷新(TCR)
- 精细粒度刷新、自刷新中止、最大功耗节省、输出驱动器校准
- 标称、驻留及动态片上终端(ODT),数据总线反相(DBI)
- 96球FBGA封装,工业工作温度范围-40≤ TC≤ 95°C
技术规格
DRAM类型
DDR4
记忆配置
1G x 16位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.2V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
存储密度
16Gbit
时钟频率最大值
1.6GHz
针脚数
96引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.085779