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产品概述
MT40A1G16TD-062E AAT:F 是一款 DDR4 SDRAM。它是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为 x16 配置的八组 DRAM 和 x8 配置的十六组 DRAM。DDR4 SDRAM 采用 8n-prefetch 架构来实现高速运行。8n-prefetch 架构与接口相结合,旨在每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR4 SDRAM 的单次 "读取"或 "写入"操作包括在内部 DRAM 内核进行一次 8n 位宽、四个时钟周期的数据传输,以及在 I/O 引脚进行两次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。
- 片上、内部、可调 VREFDQ 生成,1.2V 伪开漏 I/O
- 8n位预取架构,可编程数据选通前导序列,输出驱动器校准
- 数据选通前缀训练、命令/地址延迟 (CAL)
- 多用途寄存器 "读取"和 "写入"功能、写入均衡
- 自刷新模式、低功耗自动自刷新 (LPASR)、温控刷新 (TCR)
- 细粒度刷新、自刷新中止、最大限度省电
- 标称、驻留和动态片上终端(ODT),96球FBGA封装
- 数据总线反转(DBI)用于数据总线、命令/地址(CA)奇偶校验
- 数据总线写入循环冗余校验(CRC),单DRAM地址可寻址性
- 符合JEDEC JESD-79-4标准,支持sPPR和hPPR功能,通过AEC-Q100认证
技术规格
DRAM类型
DDR4
记忆配置
1G x 16位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.2V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
16Gbit
时钟频率最大值
1.6GHz
针脚数
96引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00188