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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT41K512M16VRP-107 IT:P
库存编号3530740
技术数据表
DRAM类型DDR3L
存储密度8Gbit
记忆配置512M x 16位
时钟频率最大值933MHz
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数96引脚
额定电源电压1.35V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
MSL0
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT41K512M16VRP-107 IT:P 是一款 TwinDie 1.35V 汽车 DDR3L SDRAM。它是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器件,内部配置为两个 8 块 DDR3L SDRAM 器件。DDR3L SDRAM 采用双数据速率架构来实现高速运行。双数据速率架构是一种 8n 预取架构,其接口设计用于在 I/O 球上每个时钟周期传输两个数据字。单次读取或写入访问包括在内部 DRAM 内核进行一次 8n 位宽、一个时钟周期的数据传输,以及在 I/O 球进行 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。DDR3 SDRAM 通过差分时钟(CK 和 CK#)运行。CK 高电平和 CK# 低电平的交叉称为 CK 的正边沿。控制、命令和地址信号在 CK 的每个正边沿注册。
- 向后兼容 VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- 差分双向数据选通,8n 位预取架构
- 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终止 (ODT)
- 可编程 CAS(读取)延迟 (CL)、可编程发布 CAS 加法延迟 (AL)
- 固定突发长度 (BL) 为 8,突发斩波 (BC) 为 4(通过模式寄存器组 [MRS] 实现)
- 自刷新温度 (SRT)、自动自刷新 (ASR)、写均衡
- AEC-Q100、PPAP 提交、8D 响应时间
- 96-ball FBGA封装
- 工业温度范围为 -40°C ≤ TC ≤ +95°C
- 在CL = 13 时,1.07ns(DDR3-1866)周期时间,512 兆 x 16 配置
技术规格
DRAM类型
DDR3L
记忆配置
512M x 16位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.35V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
存储密度
8Gbit
时钟频率最大值
933MHz
针脚数
96引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
MSL
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技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001