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MT47H32M16NF-25E AAT:H
DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16位, 400 MHz, TFBGA, 84 引脚
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|---|---|
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| 10+ | CNY37.680 (CNY42.5784) |
| 25+ | CNY36.570 (CNY41.3241) |
| 50+ | CNY35.670 (CNY40.3071) |
| 100+ | CNY35.220 (CNY39.7986) |
| 250+ | CNY34.860 (CNY39.3918) |
| 500+ | CNY34.490 (CNY38.9737) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
MT47H32M16NF-25E AAT:H为DDR2 SDRAM。其采用双倍数据速率架构实现高速运行，该架构基于4n预取机制，接口设计可在每个时钟周期于I/O球点传输两个数据字。 DDR2 SDRAM的单次读写操作包含：内部DRAM核心执行单次4n位宽、双时钟周期的数据传输，以及I/O球区执行四次对应的n位宽、半时钟周期数据传输。 该产品符合JEDEC标准的1.8V I/O（兼容SSTL_18）规范，并提供差分数据选通信号（DQS, DQS#）选项。
- 工作电压范围为1.8V（CMOS电源）
- 32兆 x 16配置，汽车级认证，8D响应时间
- 封装形式为84球8mm x 12.5mm FBGA
- 在CL = 5 时，定时周期时间为 1 2.5ns（DDR2-800）
- 工作温度范围为 -40°C 至 +105°C，设计代号
- 数据速率为800MT/s，采用4n位预取架构
- DLL用于将DQ和DQS过渡与CK对齐，可编程CAS延迟(CL)
- 已发布CAS添加剂延迟(AL)，写入延迟=读取延迟-1个时钟周期
- 可调数据输出驱动强度，64ms周期，8192次循环刷新
- 片上终端（ODT），支持JEDEC时钟抖动规范
技术规格
DRAM类型
DDR2
记忆配置
32M x 16位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
512Mbit
时钟频率最大值
400MHz
针脚数
84引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00263