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| 25+ | CNY48.360 (CNY54.6468) |
| 50+ | CNY47.540 (CNY53.7202) |
| 100+ | CNY45.340 (CNY51.2342) |
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| 500+ | CNY43.260 (CNY48.8838) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT48LC16M16A2B4-6A IT:G
库存编号4242668
技术数据表
DRAM类型SDR
存储密度256Mbit
记忆配置16M x 16位
时钟频率最大值166MHz
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数54引脚
额定电源电压3.3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G是一款256Mb SDR SDRAM。该高速CMOS动态随机存取存储器容量为268,435,456比特。内部配置为四通道DRAM,采用同步接口(所有信号均在时钟信号CLK的上升沿进行锁存)。对SDRAM的读写访问采用突发访问模式;访问从选定位置开始,并按预设顺序连续访问预设数量的位置。访问始于ACTIVE命令的注册,随后跟随READ或WRITE命令。与ACTIVE命令同时注册的地址位用于选择待访问的存储区和行。与READ或WRITE命令同时注册的地址位用于选择突发访问的起始列位置。
- 16Meg×16位(4兆字节×16位×4个存储区)配置
- tWR = 2CLK写入恢复时间
- 6ns(CL=3时,仅限x8、x16模式)周期时间
- 全同步架构;所有信号均在系统时钟上升沿进行锁存
- 内部流水线操作;每时钟周期可更新列地址
- 兼容PC100和PC133标准,内置行访问/预充电隐藏存储单元
- 自动预充电,包含并行自动预充电和自动刷新模式
- 支持LVTTL兼容输入输出,仅需单3.3V±0.3V电源供电
- 工业工作温度范围为-40°C至+85°C,封装形式为54球VFBGA。
技术规格
DRAM类型
SDR
记忆配置
16M x 16位
IC 外壳 / 封装
VFBGA
额定电源电压
3.3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
存储密度
256Mbit
时钟频率最大值
166MHz
针脚数
54引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000872