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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E256M32D1KS-046 AIT:L
库存编号4242611
技术数据表
DRAM类型LPDDR4
存储密度8Gbit
记忆配置256M x 32位
时钟频率最大值2.133GHz
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数-
额定电源电压-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
产品概述
MT53E256M32D1KS-046 AIT:L is an automotive LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 8Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- Frequency range: 2133–10MHz (data rate range per pin: 4266–20Mb/s)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL =16/32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 256 Meg x 32 (2 channels x 16 I/O) array configuration
- 200-ball VFBGA package, AEC-Q100 qualified
- Operating temperature range from -40°C to +95°C
技术规格
DRAM类型
LPDDR4
记忆配置
256M x 32位
IC 外壳 / 封装
VFBGA
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
8Gbit
时钟频率最大值
2.133GHz
针脚数
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001529