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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E2G32D4DE-046 AIT:C
库存编号3935601
技术数据表
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度64Gbit
记忆配置2G x 32位
时钟频率最大值2.133GHz
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数200引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
产品概述
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C is a automotive LPDDR4/LPDDR4X SDRAM. The 16Gb low-power DDR4 SDRAM (LPDDR4) or low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This 8-bank device is internally configured with ×16 I/O. Each of the ×16 2,147,483,648-bit banks is organized as 131,072 rows by 1024 columns by 16 bits.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16,32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- Up to 8.5GB/s per die, on-chip temperature sensor to control self refresh rate
- Partial-array self refresh (PASR), selectable output drive strength (DS), clock-stop capability
- Programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK and DQS support
- AEC-Q100 qualified, 8GB (64Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- 200-ball TFBGA package
- Operating temperature rating range from -40°C to +95°C
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
2G x 32位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
64Gbit
时钟频率最大值
2.133GHz
针脚数
200引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.02268