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MT53E2G32D4DE-046 WT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32位, 2.133 GHz, TFBGA, 200 引脚
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|---|---|
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| 5+ | CNY687.620 (CNY777.0106) |
| 10+ | CNY660.140 (CNY745.9582) |
| 25+ | CNY638.600 (CNY721.618) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E2G32D4DE-046 WT:C
库存编号3935602
技术数据表
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度64Gbit
记忆配置2G x 32位
时钟频率最大值2.133GHz
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数200引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-25°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT53E2G32D4DE-046 WT:C 是一款 LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM。具有低 VDDQ 的 16Gb 移动式低功耗 DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器件。该器件内部配置有 2 个通道或 1 个通道 ×16 I/O，每个通道有 8 个组。
- 16n 预取 DDR 架构，每个通道有 8 个内部库，可同时运行
- 单数据速率 CMD/ADR 输入，每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟 (RL/WL)，可编程即时突发长度 (BL=16,32)
- 每个存储体定向刷新，可同时进行存储体操作，便于指令调度
- 每个芯片 x16 通道速度高达 8.5GB/s，片上温度传感器可控制自刷新率
- 部分阵列自刷新 (PASR)、可选输出驱动强度 (DS)、时钟停止功能
- 8GB (64Gb) 总密度，每引脚 4266Mb/s 数据传输速率
- 200-ball TFBGA封装
- 工作温度额定范围: -25°C到+85°C
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
2G x 32位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-25°C
产品范围
-
存储密度
64Gbit
时钟频率最大值
2.133GHz
针脚数
200引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002049