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MT53E512M32D1NP-046 WT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32位, 2.133 GHz, WFBGA, 200 引脚
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|---|---|
| 1+ | CNY218.250 (CNY246.6225) |
| 5+ | CNY210.110 (CNY237.4243) |
| 10+ | CNY201.960 (CNY228.2148) |
| 25+ | CNY201.850 (CNY228.0905) |
| 50+ | CNY201.730 (CNY227.9549) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E512M32D1NP-046 WT:B
库存编号3954465
技术数据表
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度16Gbit
记忆配置512M x 32位
时钟频率最大值2.133GHz
IC 外壳 / 封装WFBGA
针脚数200引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-25°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
产品概述
MT53E512M32D1NP-046 WT:B is a DRAM IC.
- 16Gb density, 512M x32 component configuration
- 2133MHz speed
- 1.1/0.6V I/O voltage
- Operating temperature range from -25°C to +85°C
- 200-ball WFBGA package
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
512M x 32位
IC 外壳 / 封装
WFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-25°C
产品范围
-
存储密度
16Gbit
时钟频率最大值
2.133GHz
针脚数
200引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001