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MT62F2G32D4DS-026 WT:B
DRAM, 移动 LPDDR5, 64 Gbit, 2G x 32位, 3.75 GHz, TFBGA, 315 引脚
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|---|---|
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| 5+ | CNY764.830 (CNY864.2579) |
| 10+ | CNY734.140 (CNY829.5782) |
| 25+ | CNY710.140 (CNY802.4582) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT62F2G32D4DS-026 WT:B
库存编号4050916
技术数据表
DRAM类型移动 LPDDR5
存储密度64Gbit
记忆配置2G x 32位
时钟频率最大值3.75GHz
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数315引脚
额定电源电压1.05V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-25°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
产品概述
MT62F2G32D4DS-026 WT:B is a mobile LPDDR5 SDRAM.
- Architecture: 17.1GB/s maximum bandwidth per channel, selectable CKR (WCK:CK = 2:1 or 4:1)
- Frequency range: 1067–5MHz (data rate range per pin: 8533–40Mb/s with WCK:CK = 4:1)
- Data interface: single x16 channel/die, double-data-rate command/address entry
- Differential command clocks (CK-t/CK-c) for high-speed operation, differential data clocks
- 16n-bit or 32n-bit prefetch architecture
- Bank architecture: 8-bank (8B) mode, bank group (BG) mode, and 16-bank (16B) mode supported
- Command-selectable burst lengths (BL = 16 or 32) in bank group or 16-bank modes
- Partial-array self refresh (PASR) and partial-array auto refresh (PAAR) with segment mask
- 8GB (64Gb) total density, 7500Mb/s data rate per pin
- 315-ball TFBGA package, -25°C ≤ Tc ≤ +85°C operating temperature
技术规格
DRAM类型
移动 LPDDR5
记忆配置
2G x 32位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.05V
工作温度最小值
-25°C
产品范围
-
存储密度
64Gbit
时钟频率最大值
3.75GHz
针脚数
315引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001