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MTA4ATF51264HZ-3G2R1
RAM存储模块, 4 GB, 1 MHz, PC4-3200, 260针 DDR4 SDRAM SO-DIMM, 笔记本电脑SODIMM, 512M x 64位
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|---|---|
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| 10+ | CNY568.240 (CNY642.1112) |
| 50+ | CNY535.700 (CNY605.341) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MTA4ATF51264HZ-3G2R1
库存编号3861323
技术数据表
存储密度4GB
内存速度1MHz
模块内存PC4-3200
模块外形尺寸260针 DDR4 SDRAM SO-DIMM
存储器应用笔记本电脑SODIMM
记忆配置512M x 64位
电源电压最小值1.14V
电源电压最大值1.26V
额定电源电压1.2V
工作温度最小值0°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MTA4ATF51264HZ-3G2R1是一款高速DDR4 SDRAM模块，采用具有两个或四个内部存储器组的DDR4 SDRAM器件。采用4位和8位宽度的DDR4 SDRAM器件具有四个内部银行组，每个组包含四个内存银行，共计16个银行。16位宽度的DDR4 SDRAM器件具有两个内部银行组，每个组包含四个内存银行，共计八个银行。DDR4 SDRAM模块得益于其8n预取架构，其接口设计可在每个时钟周期内通过I/O引脚传输两个数据字。DDR4 SDRAM的单次读写操作实质上包含：在内部DRAM核心执行单次8n位宽、四时钟周期数据传输，同时在I/O引脚执行八次对应的n位宽、半时钟周期数据传输。DDR4模块采用两组差分信号：DQS_t和DQS_c用于捕获数据，CK_t和CK_c用于捕获命令、地址和控制信号。
- 4GB 模块密度，512 兆 x 64 配置，25.6GB/秒模块带宽
- 0.62ns/3200MT/s内存时钟/数据速率，22-22-22时钟周期（CL-tRCD-tRP）
- 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终止 (ODT)
- 低功耗自动自刷新，数据总线反相处理，终端控制命令/地址总线
- 片上VREFDQ生成与校准，单通道，飞越拓扑结构
- 板载I²C串行存在检测(SPD)EEPROM，8个内部存储区；每组4个存储区，共2组
- 通过模式寄存器组(MRS)实现固定突发截断4和突发长度8，采用金边触点
- 260引脚DIMM封装
- 商用工作温度范围为 0°C ≤ TOPER ≤ 95°C
技术规格
存储密度
4GB
模块内存
PC4-3200
存储器应用
笔记本电脑SODIMM
电源电压最小值
1.14V
额定电源电压
1.2V
工作温度最高值
95°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
内存速度
1MHz
模块外形尺寸
260针 DDR4 SDRAM SO-DIMM
记忆配置
512M x 64位
电源电压最大值
1.26V
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Namibia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Namibia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001