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MTA9ASF1G72HZ-3G2R1
RAM存储模块, 8 GB, 1600 MHz, PC4-3200, 260针 DDR4 SDRAM SO-DIMM, 笔记本电脑SODIMM, 1G x 72位
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 5+ | CNY688.630 (CNY778.1519) |
| 10+ | CNY660.660 (CNY746.5458) |
| 50+ | CNY622.710 (CNY703.6623) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MTA9ASF1G72HZ-3G2R1
库存编号3861330
技术数据表
存储密度8GB
内存速度1600MHz
模块内存PC4-3200
模块外形尺寸260针 DDR4 SDRAM SO-DIMM
存储器应用笔记本电脑SODIMM
记忆配置1G x 72位
电源电压最小值1.14V
电源电压最大值1.26V
额定电源电压1.2V
工作温度最小值0°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MTA9ASF1G72HZ-3G2R1 是一款高速 DDR4 SDRAM 模块。DDR4 SDRAM 模块得益于 DDR4 SDRAM 采用的 8n-prefetch 架构，其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR4 SDRAM 的单次 "读取 "或 "写入 "操作实际上包括在内部 DRAM 内核上进行一次 8n 位宽、四个时钟周期的数据传输，以及在 I/O 引脚上进行 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。DDR4 模块使用两组差分信号： DQS_t 和 DQS_c 用于捕获数据，CK_t 和 CK_c 用于捕获命令、地址和控制信号。差分时钟和数据选通确保这些信号具有出色的抗噪能力，并为捕获输入信号提供精确的交叉点。
- 支持 ECC 错误检测和纠正
- 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终止 (ODT)
- 低功耗自动自刷新（LPASR），数据总线反转（DBI）
- 片上 VREFDQ 生成和校准，单排，16 个内部存储体，4 组，每组 4 个存储体
- 板载 I2C 温度传感器，集成串行存在检测 (SPD) EEPROM
- 通过模式寄存器组 (MRS) 固定 4 个突发斩波 (BC) 和 8 个突发长度 (BL)
- 可选择 BC4 或 BL8 即插即用 (OTF)、金边触点、飞越拓扑结构
- 端接控制、命令和地址总线
- 8GB 模块密度，1 千兆 x 72 配置，25.6GB/秒模块带宽
- 260 引脚 DIMM 封装，0°C ≤ TOPER ≤ 95°C 商业工作温度
技术规格
存储密度
8GB
模块内存
PC4-3200
存储器应用
笔记本电脑SODIMM
电源电压最小值
1.14V
额定电源电压
1.2V
工作温度最高值
95°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
内存速度
1600MHz
模块外形尺寸
260针 DDR4 SDRAM SO-DIMM
记忆配置
1G x 72位
电源电压最大值
1.26V
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Namibia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Namibia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001