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图片仅用于图解说明,详见产品说明。
产品信息
制造商产品编号MPQ20073DH-AEC1-LF-Z
库存编号3392506RL
技术数据表
存储器支持DDR2, DDR3
拉电流/灌电流2.7A
电源电压最小值3.3V
电源电压最大值5V
DDR调节器外壳款式MSOP-EP
IC 外壳 / 封装MSOP-EP
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)No SVHC (19-Jan-2021)
产品概述
The MPQ20073 integrates the DDR memory termination regulator with the output voltage (VTT) and a buffered VTTREF outputs is a half of VREF. The VTT-LDO is a 2A sink/source tracking termination regulator. It is specifically designed for low-cost/low-external component count systems, where space is a premium. The MPQ20073 maintains a fast transient response only requiring 20µF (2x10µF) of ceramic output capacitance. The MPQ20073 supports Kelvin sensing functions.
- Drive voltage is 3.3V
- 1.3V input (VDDQ) helps reduce total power dissipation
- Built-In soft-start, UVLO and OCL
- Thermal shutdown
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
注释
MPS部件编号结尾”-P”和”-Z”为相同的部件。”P”和”Z”仅代表卷轴尺寸。
技术规格
存储器支持
DDR2, DDR3
电源电压最小值
3.3V
DDR调节器外壳款式
MSOP-EP
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (19-Jan-2021)
拉电流/灌电流
2.7A
电源电压最大值
5V
IC 外壳 / 封装
MSOP-EP
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
湿气敏感性等级
MSL 2 - 1年
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (19-Jan-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001