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2N3637
单晶体管 双极, PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY16.530 (CNY18.6789) |
| 100+ | CNY11.850 (CNY13.3905) |
| 500+ | CNY8.300 (CNY9.379) |
| 1000+ | CNY5.930 (CNY6.7009) |
| 5000+ | CNY5.200 (CNY5.876) |
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产品概述
The 2N3637 is an NPN silicon transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications. This transistor features a high breakdown voltage and moderate current handling capabilities, making it suitable for low to medium-power circuits.
- High Voltage Capability: The 2N3637 has a maximum collector-emitter breakdown voltage of 175V, making it suitable for high voltage applications.
- The transistor has a maximum power dissipation of 1W, allowing it to handle moderate power levels.
- Minimum DC current gain of 100, making it suitable for amplifier applications.
- Maximum Vce saturation of 600mV, reducing power losses and improving efficiency.
- TO-5-3 metal can package, providing a rugged and reliable packaging option.
- The transistor is compatible with a wide range of circuits and systems, making it a versatile component for designers.
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
TO-39
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
50hFE
产品范围
Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
湿气敏感性等级
0
最大集电极发射电压
175V
功率耗散
5W
晶体管安装
通孔
过渡频率
200MHz
工作温度最高值
200°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：India
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：India
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：否
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:否
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001