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2N7002
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY0.775 (CNY0.8758) |
| 100+ | CNY0.552 (CNY0.6238) |
| 500+ | CNY0.394 (CNY0.4452) |
| 1000+ | CNY0.277 (CNY0.313) |
| 5000+ | CNY0.245 (CNY0.2768) |
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产品信息
制造商产品编号2N7002
库存编号4295174
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续115mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散225mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Multicomp Pro N Channel MOSFETs
合规-
MSL0
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
These N-channel enhancement mode field-effect transistors are manufactured with high cell density DMOS technology. They are designed to minimize on-state resistance while delivering rugged, reliable, and fast switching performance. These transistors are especially well-suited for low-voltage, low-current applications, including small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
- High Density Cell Design for Low RDS(on)
- Voltage Controlled Small Signal Switch
- Rugged and Reliable
- High Saturation Current Capability
- ESD Protection Level: HBM <gt/> 100 V, CDM <gt/> 2 kV
- This Device is Pb−Free and Halogen Free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
115mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
225mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
Multicomp Pro N Channel MOSFETs
MSL
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000009