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BSS84ES
晶体管, P沟道增强模式场效应管, MOSFET, SOT-2
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.311 (CNY0.3514) |
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最低: 3000
多件: 3000
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产品信息
制造商产品编号BSS84ES
库存编号4064166
技术数据表
漏源电压, Vds50V
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散360mW
针脚数3引脚
产品范围-
技术规格
漏源电压, Vds
50V
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360mW
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：稍后通知
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907