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HMF04N65S
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 4 A, 2.4 ohm, TO-220F, 通孔
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产品信息
制造商产品编号HMF04N65S
库存编号4295176
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻2.4ohm
晶体管封装类型TO-220F
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散36W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Multicomp Pro N Channel SUPERFETs
合规-
MSL0
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
产品概述
The SuperFET II MOSFET is a new high-voltage super-junction (SJ) MOSFET family that employs charge balance technology to achieve exceptionally low on-resistance and reduced gate charge performance. This technology is optimized to minimize conduction loss, deliver superior switching performance, and enhance dv/dt rate and avalanche energy handling.
- Typ. RDS(on) = 2Ω @ VGS = 10V
- 650 V @ TJ = 150°C
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)
- Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 90 pF)
- 100% Avalanche Tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
TO-220F
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
36W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
2.4ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
Multicomp Pro N Channel SUPERFETs
MSL
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002193