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HMF12N65S
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 12 A, 0.85 ohm, TO-220F, 通孔
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| 50+ | CNY63.020 (CNY71.2126) |
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产品概述
The HMF12N65S is a high-performance N-channel MOSFET designed for a wide range of power switching applications. It boasts a low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for high-efficiency power conversion. This MOSFET is engineered to handle high voltages and currents, ensuring robust and reliable performance in demanding conditions. Typical applications include power supplies, motor drives, and high-voltage circuits.
- RDS(ON) = 0.82Ω @ VGS = 30V
- Ultra Low Gate Charge
- Low Reverse Transfer Capacitance
- Fast Switching Capability
- Avalanche Energy Specified
- Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-220F
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
51W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.85ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
Multicomp Pro N Channel MOSFETs
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002193