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HMT03P02S
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息
制造商产品编号HMT03P02S
库存编号4295181
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.095ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散1W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Multicomp Pro P Channel MOSFETs
合规-
MSL0
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
The HMT03P02S is a high-efficiency P-channel MOSFET designed for low-voltage, low-current applications. It offers very low on-resistance and rapid switching performance, making it ideal for precise control tasks. This MOSFET is perfect for small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and various switching applications where compact size and high performance are crucial.
- Trench Power LV MOSFET Technology
- High Power and Current Handing Capability
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.095ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
Multicomp Pro P Channel MOSFETs
MSL
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000009