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HMV4P1P02S
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 4.1 A, 0.039 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 100+ | CNY2.030 (CNY2.2939) |
| 500+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
| 1000+ | CNY1.010 (CNY1.1413) |
| 5000+ | CNY0.884 (CNY0.9989) |
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产品信息
制造商产品编号HMV4P1P02S
库存编号4295182
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续4.1A
漏源接通状态电阻0.039ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散1.1W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Multicomp Pro P Channel MOSFETs
合规-
MSL0
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
The HMV4P1P02S is a high-performance P-channel MOSFET designed for low-voltage, low-current applications. It features ultra-low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for efficient power management and precise control tasks. This MOSFET is well-suited for applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and various switching circuits where compact size and high reliability are essential.
- Advanced Trench Technology
- Lead Free Product is Acquired
- ESD Rating : HBM 2.0KV
- Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.1A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.039ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
产品范围
Multicomp Pro P Channel MOSFETs
MSL
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000014