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NFM21HC223R1H3D
馈通电容器, AEC-Q200, 0.022 µF, 50 V, 2 A, 0805 [2012公制], 表面安装, ± 20%
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
| 100+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
| 500+ | CNY1.070 (CNY1.2091) |
| 1000+ | CNY0.994 (CNY1.1232) |
| 2000+ | CNY0.886 (CNY1.0012) |
| 4000+ | CNY0.778 (CNY0.8791) |
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多件: 10
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产品信息
制造商MURATA
制造商产品编号NFM21HC223R1H3D
库存编号2473616
产品范围NFM Series
技术数据表
电容0.022µF
额定电压50V
额定电流2A
电容封装类型0805 [2012公制]
电容器安装表面安装
电容公差± 20%
工作温度最小值-55°C
工作温度最高值125°C
直流电阻最大值0.03ohm
绝缘电阻1Gohm
电介质特征-
产品范围NFM Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
NFM21HC223R1H3D 是一款CHIP EMIFIL®电力线路滤波器, 适用于车用电子设备。3端子电容器在高频范围内具有良好的噪声抑制效果。将高频噪声元件接地, 从而抑制噪声。如果需要滤波器达到最佳性能, 可以在PCB设计阶段将接地制作较大。PCB的一面用于芯片安装, 另一面用于接地。然后通过小直径孔将PCB的两面接地。这样可以减小接地的高频阻抗, 并优化滤波器的性能。片式EMI滤波器通过将高频噪声接地来抑制噪声。因此, 如果需要提升降噪效果, 应根据图示布置接地连接孔, 以增强接地效果。
- REACH合规
- 低ESL
- AEC-200 标准
- 最大DC电阻: 30mΩ
- 最小1000MΩ绝缘电阻
- -55至125°C工作温度范围
警告
请勿超出工作温度范围, 额定电压和额定电流.
技术规格
电容
0.022µF
额定电流
2A
电容器安装
表面安装
工作温度最小值
-55°C
直流电阻最大值
0.03ohm
电介质特征
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
额定电压
50V
电容封装类型
0805 [2012公制]
电容公差
± 20%
工作温度最高值
125°C
绝缘电阻
1Gohm
产品范围
NFM Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85363010
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012