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2N7002NXAKR
功率场效应管, MOSFET, 沟, N通道, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.596 (CNY0.6735) |
| 50+ | CNY0.482 (CNY0.5447) |
| 100+ | CNY0.368 (CNY0.4158) |
| 500+ | CNY0.207 (CNY0.2339) |
| 1500+ | CNY0.203 (CNY0.2294) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
190mA
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
265mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
4.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
2N7002NXAKR 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001